科赋DDR5普条 华硕B660i超频6600-C34日志_1
前言
本文主要分享关于这个平台的DDR5超频方法，以及记录自己的学习历程。希望 可以帮到大家。
测试平台如下：
机箱：NR200P没用玻璃侧盖
内存：2*16G 科赋普条 上散热硅脂垫 +枫华大佬CVN一体马甲条以及散热支架（B站，某宝可搜）+ 小猫扇5cm中置向主板吹
散热&风道：侧面支架 进风VK GL240；机箱自带 上置双12cm出风；底部利民12cm薄扇；屁股9cm利民小扇进风
测试平台
第一章 背景和简单介绍
1.简介
成绩如下图所示。6600Mhz；C34-40-40-40 CR2.延迟·59ns
本文操作方法主要参照鲤鱼大佬（Bios设置以及主时序）：
【B660I天花板，还能更强？13900K ES2+华硕ROG B660I，超频测评】
twfox大佬（小参以及IMC等相关知识）：
https://chiphell.com/forum.php?mod=viewthread&tid=2390578&extra=page%3D1&ordertype=2&mobile=2
https://space.bilibili.com/321844971/article
最终成绩
2.思路
超频主要思路如下：
1. 确定目标（频率，CL值）
2. BIOS基本设置，寻找可开机频率
（无视稳定性单纯确定频率上限，即主板，内存，cpu体质）
注：由于本文CPU并未超频，故仅限定为imc体质
3.寻找相似的作业（主板，频率，颗粒）；
4.学习各个参数的含义和影响。
5. 通过TM5摸清基本参数范围
6.参照作业，tm5测试结果选择较为宽松的范围，然后进行逐个缩小参数
第二章 实战
1. 确定目标（频率，CL值）
确定目标即确定你的期望值，例如你的内存条为和我一样的海力士m-die 4800科赋普条。我定的目标为6600mhz c30。 经过一系列的测试最终结果为6660-c34。 这个目标我主要是参考了b站上的一些海力士m-die的超频视频以及淘宝评论。能大概知道这个条子是什么水平。但是由于条子的体质和主板，cpu, 散热条件（风道，有无内存条主动散热等），会造成一定的性能，稳定性的区别，所以最终结果有所不同是可以理解的。
2. BIOS基本设置，寻找可开机频率
BIOS设置参考：
第一步： 设置防掉压
第二步： 手动选择内存频率
你可以在你制定的频率目标的基础上，拉高200-400的频率。如果无法开机，则降低频率，可开机则继续拉高最后的数值大致为： 可开机频率降一档例如6800可开机则降至6600~6800区间内的一个任意值。
此步骤意为测试频率上限
第三步：设定CPU、内存相关电压
以下可以参考twfox大佬关于电压确定的相关解读：
SA电压：即便是海力士颗粒的DDR5，在IMC和主板都足够强的情况下7000（含）以下SA电压锁定1.1v即可，如果是逼近IMC或主板的上限，但是内存体质有OK，就好比我现在跑7200，SA电压微调会有帮助，以我这IMC来说，7200状态下SA的最佳值在1.2-1.25之间，过低比如1.15拷机蓝屏重启或者随缘开机，过高比如1.3v拷机直接大量出错，只有卡住1.2-1.25之间才有调整的空间。如果是IMC更强或许能调整的空间就会越大，当然低温能在一定程度上增强IMC。
这里我经过测试发现可以参考大佬的数值和自身硬件散热等条件直接设定为 1.25v.
VDD电压：海力士对VDD电压会更加的敏感，是有甜点值得，而且不同品牌的内存不知道是不是由于采用不同PMIC的关系，能吃压得范围是不一样的，比如公版绿和海盗船的是典型的高压条，能吃压的超过1.6v同时温度并不高，而芝奇就比较奇特，虽然有明显特挑的痕迹，但是吃压不超过1.55v；而且7000-7200甚至再往上不在遵循DDR4时代那种频率高多少电压就往上加多少，只要是甜点电压频率就能一直往上开，比如我这对芝奇6400，7000能拷机的VDD电压是1.48v左右，跑7200拷机VDD电压也就1.52v左右，看群里几位大佬特挑海力士跑7466甚至7600拷机电压也就在1.55以内；哪怕退一步说从7000降到6600拷机VDD电压也并不是可以从1.48大幅度下降，也需要1.4v以上。
这里我经过测试发现可以参考大佬的数值和自身硬件散热等条件直接设定为 1.4v.
VDDQ电压：海力士颗粒的VDDQ电压一般低于VDD电压，过高的VDDQ电压会导致之间无法开机或者随缘开机，VDDQ电压一般设定低于VDD电压0.3左右，这个VDDQ电压对于内存拷机跑长或者超过7000拷机帮助比较明显所以需要微调，一般短时间拷机VDDQ电压甚至可以低于VDD电压0.05-0.1v；我这里还是建议各位控制在0.03v这个差距，这个电压不同品牌的内存同样耐压值不一样，特性跟VDD一直，芝奇最低，海盗船和公版绿可以逼近1.6v。
这里我经过测试发现可以参考大佬的数值和自身硬件散热等条件直接设定为 1.4v.
PS：以上几个电压，各位还是需要根据自己的IMC、主板、内存做进一步的细微调整和摸索，ROG主板可以安装Turbov这个软件在Windows下快速调整，或者在BIOS调整完毕以后重启进入BIOS自带的MEMTEST进行快测。
第四步：设定CPU、PMIC相关电压
IVR电压：海力士的IVR电压一般需求比较高，小伙伴调试的时候可以先给1.5V，过低的IVR电压会导致无法正常开机，但是这里又会有个有意思的情况，当你把IVR电压设置跟MCV电压一致的时候会发现也可以亮机，比如同时设定1.35，但是把IVR电压设定1.4/1.35会发现又无法正常开机，我也尝试过IVR和MCV电压保持一致进行拷机，但是需要控制CPU温度。
这里我经过测试发现可以参考大佬的数值和自身硬件散热等条件直接设定为 1.4v.
MCV电压：海力士的的MCV电压会比三星来的更高，甜点值大致在1.35v左右进行微调，但是有的IMC，MCV给1.45也能启动，但是却无法7200拷机，比如我有一颗12900k。MCV电压给1.33v可以完成7000拷机，7200无法开机，MCV加到1.45v，7000也可以开机但是无法拷机。目前这颗能7200拷机的MCV超过1.4v就无法开机，7000拷机和7200拷机的MCV电压一致都落在1.35v左右，所以初步可以判定MCV也是有甜点值，体质决定上限，只要找到甜点值6600/6800/7000/7200/7400拷机基本不需要动MCV电压。
这里我经过测试发现可以参考大佬的数值和自身硬件散热等条件直接设定为 1.4v.
对于海力士颗粒，ROG主板有在PMIC电压设置下面有两个VDD和VDDQ switching的选项可以拉到1.50000，这个不拉到最大7200则无法开机，实测AUTO状态下超过7000，主板也会给最大的1.50000，但是还是说明下，各位小伙伴可以在其他主板上也尝试下。其他的保持AUTO即可，海力士颗粒对其他的不敏感。
第五步：其他参数的调整； 这里我选择省略，跟大佬的思路有所不同
3.寻找相似的作业（主板，频率，颗粒）
这里可以在淘宝，贴吧，b站各处自行寻找。
我参考的是鲤鱼大佬的作业
【B660I天花板，还能更强？13900K ES2+华硕ROG B660I，超频测评】
4.学习各个参数的含义和影响。
第一时许
CAS(列) Latency(CL): 读取命令到I/O收到的时间， 最为关键的影响延迟的参数
但是有时候受小参的限制导致有时候缩小后会没有变化。 另外在英特尔平台上只有奇数可调。
DRAM RAS(行) to CAS Delay(tRCD): 行地址激活命令到寻址并发出指令的时间， 与最高频率有非常大的关系。
在本测试中，通过调整这项参数获得了较大的延迟优化。
DRAM RAS Recharge Time(tRP): 前一个行操作完成 并 在行关闭命令后，对同Bank进行操作，直到下一个行地址激活信号发出前的预充电的时间。 影响不大。
DRAM Command Mode Rate(CR): 首命令延迟，即1T/2T模式， 选定bank后到行地址激活的时间。
内存运行流程概括：
预充电-激活行地址+寻找列地址-发送预读取命令-读出命令
即 tRP-tRCD-CL
第二时许
DRAM CAS Write Latency(tWCL): 可能与CL绑定， 一般保持稳定不进行调节。
DRAM Row Cycle Time(tRC): 行周期时间，即 tRP + tRAS， 太紧则无法开机。
DRAM Row Refresh Cycle Time(tRFC): 行地址刷新周期， 重新对bank中的row充电的时间。
Intel单位为时间周期，即越高则延迟越低。AMD为刷新延迟（纳秒，ns），越高则延迟越高。
DRAM Refresh Interval（tREFI）: 内存刷新时间间隔，设置取决于内存容量大小。容量越大则需要更低的tREFI。十分受到内存电压，温度的制约。
DRAM RAS to RAS Delay(tRRD)： 行地址延迟，即同一bank到不同bank两者连续读取激活命令的最短延迟。与CR类似，但是影响巨大。所以需要尽可能缩紧。
DRAM Write Recovery Time（tWR）: 内存写入回复时间， 写入命令发出（开始写入）到下次预充电的时间（RP之前）。 由于为tRP的前一操作，所以影响数据完整性。
鲤鱼大哥在7200 c34 tWR设置为 62
Twfox大哥在·7200 c32 tWR设置为 12
我的设定： 6600 tWR 在他们之间调整，设定在了20.
DRAM Read to Precharge Time (tRTP): 类似于tWR, 为统一Rank读取命令发出（开始读）到下一次RP前的时间。 Bank增大时需要放宽。
DRAM Four Active Window(tFAW)： 同一Rank同时发送大于四个行激活命令的间隔时间。不小于tRRD的4倍，对于性能影响较小。
DRAM Write to Read Delay（tWTR）：内存写-读延迟，写命令到下一个读命令的延迟。 最小为4T，类似于tRTP。 容量和频率增大时，需要提高tWTR。
5. 通过TM5摸清基本参数范围
根据上一步的参数定义，你可以从主时许，第二时许，第三时许这样的步骤，开始调整。并进行TM5测试。
先抄作业。然后在作业的基础上开始调整。
先抄第一时许，然后大幅度放宽每一个时序，主时序之外的参数保持auto。必须要轻松过测的程度。
然后逐个缩小，每次2左右的缩小几个参数中的一个。
优先顺序为 CL
